据安徽长飞先进半导体官微消息，9月1日，长飞先进半导体武汉基地开工仪式在光谷科学岛圆满举行。
据悉，长飞先进半导体武汉基地位于光谷科学岛，项目总投资预计超过200亿元。其中，项目一期总投资100亿元，可年产36万片SiC MOSFET晶圆，包括外延、器件设计、晶圆制造、封装等。一期项目预计2025年建设完成，届时将成为国内最大的SiC功率半导体制造基地。
长飞先进总裁陈重国表示，武汉基地的顺利开工，标志着公司在第三代半导体领域迈出了重要一步，将为公司在碳化硅产业的高速发展注入强大的动力，在降低成本的同时，也为后续业务进一步拓展及客户服务提供充足的产能保障。
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