4 月 27 日消息，台积电在美国加州圣塔克拉拉市举办北美技术论坛，公布了其 3nm 工艺的最新进展和路线图。其中，最引人关注的是 N3X 工艺，将在 2025 年投入量产，为高性能计算（HPC）领域提供最强的芯片制造能力。

  从台积电官方获悉，台积电的 3nm 工艺家族包括四个版本，分别是基础的 N3、成本优化的 N3E、性能提升的 N3P 和高压耐受的 N3X。其中，N3E 和 N3P 都是基于 N3 的光学缩小版，可以降低复杂度和成本，同时提高性能和晶体管密度。而 N3X 则是专为 HPC 领域设计的工艺，可以支持更高的电压和频率，从而实现更强的计算能力。

  根据台积电的数据，与 5nm 工艺相比，N3E 可以在相同频率下降低 32% 的功耗，或者在相同功耗下提高 18% 的性能。而相较于 N3E，N3P 则可以在相同功耗下提高 5% 的性能，或者在相同频率下降低 5%~10% 的功耗。同时，N3P 还可以将晶体管密度提高 4%，达到 1.7 倍于 5nm 工艺的水平。