10月9日消息，三星在 Samsung Foundry Forum 2022 活动中介绍了其内存路线图。
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如上图所示，在即将到来的2023年，三星将进入1b nm工艺阶段，内存芯片容量将达到24Gb（3GB）- 32Gb（4GB），原生速度将在6.4-7.2Gbps。显存方面，新一代 GDDR7显存将在明年问世，因此AMD和英伟达显卡的新一代显卡的中期改款就有可能会用上GDDR7显存。
此外，三星还进行了一些长远的设想，如2026年推出DDR6内存，2027年即实现原生10Gbps的速度。
三星也公布了其闪存的路线图，预计将在2024年推出V9NAND芯片。
三星在此前的 TechDay2022活动中指出，其第九代V-NAND正在开发中，计划于2024年量产。到2030年，三星设想NAND堆叠超过1，000层，以更好地支持未来的数据密集型技术。三星还宣布，全球最高容量的1TbTLCV-NAND将于今年年底向客户提供。
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