7月28日消息，据安世半导体官微消息，公司近日宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N沟道小信号Trench MOSFET。
据悉，该产品采用超紧凑晶圆级DSN1006封装，具有市场领先的RDS(on) 特性，在空间受限和电池续航运行至关重要的情况下，可使电力更为持久。消息显示，RDS(on) 与竞争器件相比性能提升了25%，可最大限度降低能耗，提高负载开关和电池管理效率。其卓越的性能还表现在自发热降低，从而增强可穿戴设备的用户舒适度。 除了采用DSN1006封装的这两款MOSFET外，Nexperia（安世半导体）还推出了一款采用DSN1010封装的12V N沟道Trench MOSFET PMCA14UN。PMCA14UN 在VGS= 4.5 V时的最大RDS(on)为16mΩ，0.96mm ×0.96mm ×0.24mm（SOT8007）尺寸下可具备市场领先的效率。 当下，充分受益结构性缺芯状态下，市场对于车规芯片旺盛需求，芯片价格也久居高位。市场消息显示，当前安世半导体多款产品供不应求。如一款用于热系统及转向控制的芯片BUK7J1R4-40H原常态价格约在6元，如今因为缺货价格可报到100多元，价格翻了接近30倍。
闻泰科技财报数据显示，收购安世半导体后，公司半导体业务实现持续增长。2021年公司安世半导体业务来源于汽车领域的销售收入占比为44%，其中安世的车规级Mos管产品在汽车行业排名全球第二。安世的汽车客户包括博世、比亚迪、大陆、德尔福、电装等全球顶尖的Tier1客户，同时也在加速拓展国内汽车客户销售份额，包括新能源厂商，努力抓住新能源汽车市场机遇及汽车电子化趋势。
此外，值得一提的是，今年5月，安世半导体宣布已在奥地利萨尔茨堡与电子器件供应商日本京瓷集团子公司Kyocera AVX Components （Salzburg）签署了一项合作协议，携手研发车规氮化镓（GaN）功率模块。
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