4月22日消息，日本NTT固体物理学基础研究实验室宣布，它在世界范围内首次成功地进行了一项实验，即使用氮化铝半导体制造并操作晶体管。它有可能在未来将功率损失减少到传统硅半导体的5%以下，并有望成为下一代脱碳的“功率半导体”。

  晶体管是由半导体制成的电子元件，其特性介于导体和绝缘体之间，前者像金属一样导电，后者像橡胶一样不导电。功率半导体是控制电力的半导体的一个总称，它们被用于智能手机、家用电器和电动汽车，目前主要由硅制成。

  氮化铝半导体的厚度可以是硅的1/40左右。 由于电力流动的距离缩短了，电阻减少了，功率损失也减少了。

  在功率半导体方面，比硅更节能的碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）也在开发之中。 理论上，氮化铝有望将功率损失降低到硅的5%以下，SiC的35%，GaN的一半以下。

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