本文是为了在Si基板蚀刻制造金刚石时提高制造收率，为此，将半导体Si基板接入阳极，将Pt电极接入阴极后，在pt电极用跳汰机内放入氮气泡泡器，旋转对向的正电极上外部认可电压，泡泡器内吹入氮气，在加温的蚀刻溶液内进行蚀刻。（图3、图4）
在连接到阳兢的半导体硅基板上，将连接到阴极的铂线缠绕在夹子上的铂电极对向，在夹子中放入氮气泡泡，通过该泡泡注入地素的半导体硅基板的蚀刻方法，一种半导体硅基板的蚀刻方法，使氮气泡沫器与氮气注入一起旋转。
审核编辑：符乾江
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