3月24日消息，罗姆公司已经建立了一个氮化镓（GaN）功率半导体的大规模生产系统。子公司ROHM滨松（滨松市南区）引进了一条专门的氮化镓生产线，大规模生产击穿电压为150伏的氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）。目前还没有确定的客户，但据说这种晶体管在数据中心（DCs）的使用评价很高，一旦收到订单，将立即开始大规模生产。罗姆估计，到2030年，GaN器件市场的价值将达到约1000亿日元。该公司的目标是尽快实现10%的市场份额。

  罗姆将大规模生产具有业界领先的8伏栅极源电压等级和更高可靠性的氮化镓HEMT，目标是直流和基站电源应用，目的是在两年或更长时间内占领汽车市场。 前端程序在滨松市进行，后端程序在京都市进行。该公司将考虑根据市场趋势增加在日本和海外的生产。

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