世界上最大的超6英寸GaN籽晶问世，尺寸达161mm

3月15日每日汽车新闻消息，丰田合成与大阪大学合作开发出用于下一代功率半导体的更大直径的氮化镓（GaN）基底。丰田公司将于近期评估基片的质量，为大规模生产做准备，进一步提高质量和增加基片的直径。

氮化镓功率半导体是下一代功率半导体之一，它被认为是一种能使整个系统的二氧化碳（CO2）排放量减少的技术，其效果能够减少功率损耗。它将被用于许多领域，包括汽车和工业设备，并且需要更高质量和更大直径的基材来提高生产力和性能。

该公司和大阪大学利用在混有钠和镓的液态金属中生长氮化镓晶体的方法，生产了世界上最大的高质量氮化镓基片之一，尺寸超过6英寸。这也是日本“环境部通过氮化镓技术引领脱碳社会和生活方式的创新项目”的一部分。