3月11日消息，目前，最有发展潜力的材料是具有高功率和高频率特性的宽带隙（WBG）半导体，包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），它们主要用于电动汽车（EV）和快速充电电池市场。TrendForce研究估计，第三代功率半导体的产值将从2021年的9.8亿美元增长到2025年的47.1亿美元，年复合增长率为48%。
SiC适用于高功率应用，如储能、风能、太阳能、电动汽车、新能源汽车（NEV）和其他利用高要求电池系统的行业。在这些行业中，电动汽车引起了市场的极大关注。然而，目前市场上用于电动汽车的功率半导体大多是硅基材料，如Si IGBT和Si MOSFET。然而，随着电动车电池电源系统逐渐发展到大于800V的电压水平，与Si相比，SiC将在高压系统中产生更好的性能。预计SiC将逐步取代部分Si基础设计，极大地提高车辆性能，并优化车辆结构。预计到2025年，SiC功率半导体市场将达到33.9亿美元。
氮化镓适用于高频应用，包括通信设备和手机、平板电脑和笔记本电脑的快速充电。与传统的快速充电相比，GaN快速充电具有更高的功率密度，因此在更小的封装内充电速度更快，更容易携带。这些优势已经证明对许多OEM和ODM有吸引力，有几家已经开始快速开发这种材料。预计到2025年，GaN功率半导体市场将达到13.2亿美元。
TrendForce强调，与传统的硅基相比，第三代功率半导体基材的制造难度更大，成本也更高。利用目前主要衬底供应商的发展优势，包括Wolfspeed、II-VI和Qromis等公司相继扩大产能，并将在22年下半年大规模生产8英寸衬底。第三代功率半导体的产值估计在未来几年有持续增长的空间。
图片来源：TrendForce
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