韩国原子能研究院于2月10日宣布，它开发了世界上首个基于研究反应堆的大规模SiC半导体晶圆掺杂技术，该技术可作为下一代功率半导体制造的基础。

  SiC、GaN和Ga2O3被认为是下一代功率半导体的主要成分。特别是SiC，它的硬度高，耐高温，而且带来的功率转换损失小。此外，在高功率控制方面，它比硅要好得多。

  不同于国外直接在在切割好的SiC晶片上研究反应，该研究所的技术是同时对多个SiC晶圆进行原样掺杂。该研究所在开发过程中使用了其研究反应堆。具体来说，它将中子应用于非导电的SiC单晶，将极少量的原子核变成磷。通过这种方法，磷的分布可以比基于直接磷输入的一般化学过程更加均匀。

  “我们成功地将中子掺杂的均匀性保持在1%或以下，并同时掺杂了1000块SiC晶片，”该研究所解释说，“我们计划在明年之前将该技术商业化。”