2月9日消息，全球半导体企业为了率先批量生产200层以上NAND闪存，展开了激烈的技术竞争。三星电子计划在2022年底或2023年上半年推出200层以上NAND闪存，并在2023年上半年开始批量生产。

  据韩媒报道，三星电子原计划在2021年末量产176层NAND，但考虑到市场情况，推迟到了2022年第一季度。业内人士预测，三星电子将加快200层以上NAND闪存量产的步伐。另外，美光和SK海力士也在加速200层以上NAND闪存的开发。

（图片来源于路透社）