1月26日，《半导体学报》发布了 2021 年度中国半导体十大研究进展。

  十大研究包括黑砷半导体的 Rashba 能谷调控与量子霍尔效应、二维半导体单晶晶圆的可控制备、探测半导体界面晶格动力学的新谱学方法、全柔性织物显示系统、基于吸收型量子存储器的多模式量子中继、基于同质器件架构的感算存一体化神经形态硬件、室温和高湿度下稳定的 α-FAPbI3 钙钛矿及其高效稳定光伏器件、高亮度轨道角动量单光子固态量子光源、超宽禁带氮化物半导体材料高效 p 型掺杂、硅基片上一体化集成的高能效电容型感知芯片。