1月11日消息，国星光电最新推出了高品质的SiC模块及GaN器件新品，并对SiC功率分立器件进行了新升级，为第三代半导体产业发展注入新血液。

  第一件新品是针对充电桩、UPS不间断电源等工业类领域的SiC模块，包括有NS34m、NS62m、NSECO以及NSEAS系列的封装，拓扑结构涵盖半桥、全桥、三相桥以及CIB，模块规格覆盖1200V电压等级，20A-80A的电流范围，可依据市场电路系统的输入输出要求和成本等因素的考量，选择不同拓扑结构的功率模块，并快速进行应用替换。

  国星光电还对SiC功率分立器件产品进行优化升级，完成了TO-247、TO-220、TO-252、TO-263、DFN5*6五种优势封装结构的开发。该产品以TO系列为主，目前已建立主流650V系列与1200V系列SiC MOSFET和SiC SBD两个产品系列，可应用于光伏逆变、工业电源、新能源汽车、充电桩、轨道交通及智能电网等领域的电力转换装置。其中1200V 40A SiC MOSFET，Vth开启电压低于2.0V，Rdson开通损耗小于50mΩ。

图片来源：国星光电官网

  第二件新品则是为瞄准快充市场而推出E-mode的 650V/10A GaN-DFN5*6 GaN器件，BVds>650V，Rdson<150mΩ，性能稳定达到行业器件水平；器件可适用市面上100W以下的充电头的应用。

图片来源：国星光电官网

  为满足终端应用市场的需求，国星光电全力加码对第三代半导体的布局，目前已形成以SiC和GaN为主营业务的第三代半导体产品系列，包括SiC功率分立器件、SiC功率模块、GaN器件。其中，SiC模块及GaN器件新品集生产、测试、可靠性验证测试一体的实验线已投入生产运作，可迅速对接客户个性化的需求；SiC功率分立器件产品已完成了多项可靠性验证与具体应用端实测工况的评估，产线已投入使用，并完成了多个合作商的试产订单。

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