三星电子计划在今年6月份大规模生产3纳米半导体，以此赶超台积电。DigiTimes预测，三星电子和台积电将于2025年在2纳米工艺上展开一场激烈较量。 

  据DigiTimes报道，全球晶圆代工厂巨头台积电将于2022年下半年开始大规模生产3纳米芯片，并获得了苹果和英特尔的大量订单。然而，DigiTimes分析称，由于台积电在提高3纳米工艺的良率和产量方面遇到了延迟，为三星电子赶超自己提供机会。

  有半导体专家表示，台积电将一直能在3纳米工艺上优于三星电子，但预计这两个竞争对手将于2025年在2纳米工艺上展开正面竞争。2纳米工艺预计将切入GAA(环绕闸极)技术。该专家预测，台积电在引进基于GAA的2纳米工艺过程中，将在确保所需良率方面面临挑战。

  虽然三星电子将于今年6月进入基于GAA的3纳米工艺，但台积电计划在今年下半年将现有的翅片型场效应晶体管(FinFET)技术应用于其3纳米工艺。该公司计划从2025年的2纳米工艺开始应用GAA技术。 

  在全球代工行业中，只有台积电和三星电子在使用亚7纳米工艺。业内专家表示，在全球晶圆代工行业， 7纳米和5纳米代工产品中几乎90%由台积电铸造。

  最近，三星电子决定投资20万亿韩元在美国建造一个晶圆代工厂，并宣布开发有关超微细加工工艺的新技术。该公司宣布开发MBCFET（多桥沟道FET）技术，这是对GAA工艺的升级，与7纳米FinFET工艺相比，不仅减少了约45%的空间和约50%的功耗，而且提高了约35%的性能。 

  DigiTimes预测，三星电子将在2022年上半年试产3纳米工艺，并在2023年进入第二代3纳米工艺，在2025年进入基于MBC FET的2纳米工艺。Digitimes表示：“然而，三星基于GAA的3纳米工艺的订单数量少，产量小，其主要目标是为了推广技术，2023年到2025年，三星将无法在3纳米工艺上抢走台积电的客户。 “

  Digitimes补充到，“三星的真正目标，是在2025年在基于GAA的纳米工艺中超越台积电。三星和台积电将在2025年展开一场关键的较量。”