12月22日BusinessKorea报道，韩国科学技术院(KAIST) 周二表示，韩国已成功开发偏振开关技术，并利用电场控制新一代非易失性存储器的自旋轨道转矩磁性随机存储器(SOT-MRAM)。

  SOT-MRAM的特点是使用由平面电流产生的自旋电流来控制磁化方向，其运行速度至少比自旋传递转矩MRAM快10倍。

  这项进展表明，如今的技术水平可以用一个元素进行多种逻辑运算，离同时进行存储运算和算术运算的智能设备开发又近了一步。预计该技术将适用于下一代智能芯片的存内计算(PIM)。

  SOT-MRAMs作为一种用于高速运行和提高稳定性的先进磁记忆技术，需要利用外部磁场来记录信息，在开发高度集成的器件时需要克服这一要求。目前，研究人员正在致力于无磁场开关磁化方向控制。

（图片来源于BusinessKorea）