近日，华润微召开SiC 新品发布会，发布了SiC MOSFET 和SiC JBS Gen2。

  公司于2020 年首次发布SiC JBS 产品。截至目前，公司在SiC 领域已布局3 款产品，分别为650V/1200V SiC JBS Gen1(通用)、650V/1200VSiC JBS Gen2(低Vf)及1200V(40-280mΩ)SiC MOSFET Gen1。

  SiC 器件效率更高，能够节约电动车3%-8%的电池容量。与Si 基IGBT 相比，SiC MOSFET 器件的体积更小、耐高温高压性能更优、开关损耗更低。根据罗姆半导体的数据，通过使用SiC 能够减少约3%-8%的电力损耗，在保持行驶距离的同时，减少电池用量。

  新能源汽车将带动SiC 市场快速增长。根据Yole 报告，2025 年SiC器件市场规模将达25.62 亿美元，年复合增速约30%。

  电动汽车是SiC器件最大的下游应用市场，2019 年电动汽车用SiC 器件市场规模为2.25 亿美元，到2025 年有望增加至15.53 亿美元，年复合增速达38%。

  现阶段SiC 衬底制备成本高，高端旗舰车型上有望率先启用。由于晶体生长速率慢、制备技术难度较大，大尺寸、高品质SiC 衬底生产成本依旧较高，制约了SiC 器件的大规模应用。

    目前SiC 功率器件的成本约为Si 基IGBT 的3-5 倍，未来伴随SiC 产能的逐渐释放，成本有望下降至Si 基IGBT 的2 倍左右。对于售价较高的高端旗舰车型，有望率先启用SiC。