11月25日消息，国星光电日前表示，目前国星半导体以RGB芯片、倒装芯片、紫光芯片等利基型产品为主，同时研发布局Mini和Micro领域，形成了Mini背光和Mini显示两大系列的芯片产品，同时协同本部研究院进行Micro LED关键技术的攻关；在第三代半导体领域，联合多所高校及研究所展开GaN功率器件、紫外探测器芯片、深紫外UVC芯片等方向的研发工作。

  国星光电称公司聚焦Mini＆ Micro LED超高清显示领域。Mini LED方面，公司研发覆盖了Mini直显P0.4到P0.9全系列产品，其中Mini LED P0.4系列产品为全球首发；Mini背光方面，公司储备Mini POB、Mini COB、Mini COG三大技术路线；Micro LED方面，巨量转移工艺取得突破性进展，产品良率高，同时国星半导体已开发了面向于P0.3间距及面向P0.1间距的Micro LED芯片系列，并实现小批量供货给国星光电研究院。