9月26日消息，三星电子技术研究所研究员、哈佛大学教授Dong-Hee Ham、哈佛大学教授Hong-Geun Park、三星SDS总裁Sung-Woo Hwang和三星电子有限公司副董事长Ki-Nam Kim撰写了一篇关于神经形态半导体的论文。该论文发表在英国学术期刊《自然电子学》上。

  该论文提出了神经形态芯片技术的愿景，该技术利用纳米电极以超灵敏的方式测量大脑神经网络中神经元之间的电信号，复制神经元之间的连接图，然后将其附着在记忆半导体上，以再现大脑的独特功能。

  三星电子提出了一个全新的神经形态半导体的概念，其中神经网络的复制图附在存储器半导体上，每个存储器作为神经元之间的接触点。此外三星电子还提出了一个创新的技术观点，即允许记忆平台直接由测量的信号驱动，以快速创建神经网络的地图，而通常需要大量的时间来分析网络中测量的大量信号，并使用计算机构建神经网络的地图。

  该平台可用于闪存或电阻式变化存储器（RRAM）。

  如果我们想在记忆网络中重现人脑中大约100万亿个神经元的联系，我们需要最大限度地提高记忆的密度。为了实现这一目标，该论文提出在3D封装等尖端半导体技术中使用3D闪存堆叠技术和高性能DRAM中使用的硅通孔（TSV）。