9月26日消息，盛美半导体设备近日发布了一款300mm晶圆单片SPM（硫酸和过氧化氢混合酸）设备，可广泛应用于先进逻辑、DRAM，3D-NAND等集成电路制造中的湿法清洗和刻蚀工艺，尤其针对处理高剂量离子注入后的光刻胶（PR）去除工艺，以及金属刻蚀、剥离工艺。该新设备拓展了盛美的SPM工艺产品，覆盖了高温SPM的工艺步骤，随着技术节点推进到10nm及以下，这些步骤数量将越来越多。

  图片来源于盛美半导体官微