三星电子设备解决方案 (DS) 业务部首席技术官郑恩胜 (Jeong Eun-seung) 宣布，GAA技术将早日商业化。下一代铸造微制造工艺的核心。

  “我们正在领先于主要竞争对手 (TSMC) 开发GAA技术，如果我们获得了这项技术，我们的代工业务将能够进一步发展，jeong在8月25日在线举行的三星技术与职业论坛上的主题演讲中说。该论坛由三星电子DS业务部门创建，旨在吸引全球工程师。

  GAA被认为是3纳米工艺的关键部分，该工艺将在不久的将来被全球顶级铸造公司采用。它的关键点是将晶体管的结构从3D (FinFET) 更改为4D (GAA)，该晶体管在半导体内部充当 “电流开关”。根据三星电子的说法，其3 nm GAA工艺设计套件与客户2019年的测试表明，GAA技术将芯片面积减少了45%，并将电源效率提高了50%。

  行业分析师表示，他们需要拭目以待，看看谁将首先将GAA技术商业化。这是因为台积电也在早期积极将其商业化。2011年至2020年间，全球GAA专利31.4% 来自台积电。三星电子的专利占20.6%。

  三星电子表示，它在技术方面与台积电不相上下。郑说: “三星2017年开始了其代工业务，但我们将以我们在存储半导体方面的专业知识超越台积电。” 引用三星电子在台积电之前开发了装载FinFET技术的14MHz产品的案例。