7月14日韩媒消息，与低迷的市场预期相反，通过大规模生产的产品来分析得出，美光的1α纳米DRAM的位密度，看起来是世界上最高的。随着三家领先的DRAM公司之间的技术差距不断缩小，对产能投资的竞争可能会在未来升温。

从美光在6月开始量产1α纳米DRAM开始，业界就一直在分析这个产品。根据TechInsights的分析，美光的产品拥有0.315Gb/mm2的位密度，从中可以计算出14.3纳米的半间距。这样的规模代表了迄今为止市场上发布的DRAM产品中最小的单元尺寸。在此之前，三星电子（SEC）的1znm DRAM的0.299Gb/mm2是商业产品中位密度的领导者。

与市场低迷的预期形成鲜明对比的是，现在很明显美光正在大规模生产具有最小单元尺寸的DRAM。这一点很有意义，因为它是在没有EUV技术等先进设备的情况下取得的成果。而7月13日，SK海力士宣布它已经开始大规模生产1α纳米产品。三星电子的目标是在今年年底前大规模生产线宽为14.0纳米的产品，这比美光的1α纳米DRAM还要小。

DRAM市场竞争愈演愈烈

随着三家领先的DRAM公司之间的技术差距缩小，预计未来占据领先地位的竞争将加剧。随着技术迁移带来的位数增长趋于平衡，通过产能投资来确保市场份额的战略预计将进一步加速。对于三家领先的公司来说，2021年的资本支出应该是迄今为止最高的。

今年，三星电子的内存投资预计将达到200万瓦，SK海力士为140万瓦，美光为100亿美元。在更大投资的推动下，今年的DRAM出货量将超过去年。三星电子同比增长27%，SK 海力士同比增长21%，美光同比增长26%。供应量的增加将集中在21年下半年。