支持120W快充|亚成微推出3D封装技术高集成电源芯片,助力大功率、高密度快充量产

来源: 厂商供稿 作者:亚成微电子 2021-04-02 20:37:00

近年来,手机快充的普及给人们工作和生活带来了极大的方便,它可以大为减少便携式电子设备的充电时间,提高人们工作和生活的效率。但随着经济的发展以及人们生活节奏的不断加快,更快充电速度、更小体积的充电器逐渐成为人们的一种新需求。为了适应这种需求,亚成微电子在近日推出了采用3D封装技术的高集成度电源管理解决方案,这是一种全新的解决方案,该系列芯片集成、MOS、MOS驱动器以及高压启动管,最大输出功率120W,具有高效率、高导热率、高通流、高雪崩耐量等特点。可有效帮助快充电源厂商实现更小体积、更大功率快充产品的量产并节省物料成本。

4合1高集成电源芯片RM6620DS

功能特点

■支持CCM/QR混合模式

■内置700V高压启动

■集成X-CAP放电功能

■内置650V超结MOSFET

■专有的分段驱动技术,搭配超结MOSFET改善EMI设计

■支持最大130KHz工作频率

■内置特有抖频技术改善EMI

■BurstMode去噪音

■低启动电流(2uA),低工作电流

■集成斜坡补偿及高低压功率补偿

■集成AC输入Brownout/in功能

■外置OVP保护

■具有输出肖特基短路保护/CS短路保护

■内置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多种保护

原理图

氮化镓(GaN)方案

3合1高集成电源芯片RM6801SQ

功能特点

■支持CCM/QR混合模式

■专有ZVS技术

■内置700V高压启动

■专有驱动技术,易于搭配E-modeGaN功率器件改善EMI设计

■集成X-CAP放电功能

■支持最大130KHz工作频率

■内置特有抖频技术改善EMI

■BurstMode去噪音

■低启动电流(2uA),低工作电流

■集成斜坡补偿及ZVS高低压补偿

■集成AC输入Brownout/in功能

■外置OVP保护

■具有输出肖特基短路保护/CS短路保护

■内置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多种保护

原理图

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