近年来,手机快充的普及给人们工作和生活带来了极大的方便,它可以大为减少便携式电子设备的充电时间,提高人们工作和生活的效率。但随着经济的发展以及人们生活节奏的不断加快,更快充电速度、更小体积的充电器逐渐成为人们的一种新需求。为了适应这种需求,亚成微电子在近日推出了采用3D封装技术的高集成度电源管理解决方案,这是一种全新的解决方案,该系列芯片集成、MOS、MOS驱动器以及高压启动管,最大输出功率120W,具有高效率、高导热率、高通流、高雪崩耐量等特点。可有效帮助快充电源厂商实现更小体积、更大功率快充产品的量产并节省物料成本。
4合1高集成电源芯片RM6620DS
功能特点
■支持CCM/QR混合模式
■内置700V高压启动
■集成X-CAP放电功能
■内置650V超结MOSFET
■专有的分段驱动技术,搭配超结MOSFET改善EMI设计
■支持最大130KHz工作频率
■内置特有抖频技术改善EMI
■BurstMode去噪音
■低启动电流(2uA),低工作电流
■集成斜坡补偿及高低压功率补偿
■集成AC输入Brownout/in功能
■外置OVP保护
■具有输出肖特基短路保护/CS短路保护
■内置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多种保护
原理图
氮化镓(GaN)方案
3合1高集成电源芯片RM6801SQ
功能特点
■支持CCM/QR混合模式
■专有ZVS技术
■内置700V高压启动
■专有驱动技术,易于搭配E-modeGaN功率器件改善EMI设计
■集成X-CAP放电功能
■支持最大130KHz工作频率
■内置特有抖频技术改善EMI
■BurstMode去噪音
■低启动电流(2uA),低工作电流
■集成斜坡补偿及ZVS高低压补偿
■集成AC输入Brownout/in功能
■外置OVP保护
■具有输出肖特基短路保护/CS短路保护
■内置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多种保护
原理图
产品系列
全部评论