FRAM以快速写入、高耐久性、低功耗特性，广受业界关注。但是价格和良率一直制约着FRAM的大规模应用。比如，FRAM的代表厂商Ramtron，2009年与IBM公司达成代工FRAM芯片的协议，按照双方原来的计划，准备在2010年使用IBM的0.18微米制程制作出首批FRAM样品芯片。然而，IBM公司在后来的研发制造过程中遇到许多问题，无法成功提升这款产品的产量，导致了这项计划的延迟。“不可否认，那确实是Ramtron一段困难的时期，那次延迟确实让我们感到不满，而且当年的业绩也受到很大影响，不过很多客户表现了很大的理解和支持并并没有放弃FRAM，随着2011年上半年良率瓶颈的顺利解决，FRAM的应用将驶入快车道。”Ramtron公司亚太区副总裁刘胜强先生表示。

Ramtron公司亚太区副总裁刘胜强先生

据悉， Ramtron在2011年第三季取得了良好的业绩，整体收益增长为31%，达到2200万美元。该公司还宣布提供预验证的64-Kilobit F-RAM样片，在美国佛蒙特州的IBM新生产线制造。同时，还加倍努力增强供应链的效率，以大幅缩短交货期，并满足未交货订单的需求。对于价格方面的问题，刘胜强表示：“除了FRAM本身的优势之外，从市场的角度来说，目前FRAM的玩家并不多，因此整体上价格没有太大压力，但取得更大市场是每个半导体厂商的目标，因此降价也是必然趋势，这也是Ramtron与IBM合作扩大生产线的主要原因。”

 

近期，针对功耗敏感的应用如RFID、无线传感器节点、远程仪表、保健产品以及新兴的能量收集应用，Ramtron推出16 kb Ramtron器件FM25P16，该新品采用先进的铁电工艺，获得达到100万亿读/写次数的几乎无限的耐用性，且数据能够可靠地保存10年。与串口EEPROM不同，FM25P16采用快速串行外设接口(SPI)，以1MHz频率的全速总线速率执行写入操作而无写入延迟。这些能力使得FM25P16适用于同时要求极低功耗与频繁或快速写入特性的非易失性存储器应用。而在传统上，用于RFID（主要为13.56MHz的HF标签）的非易失性存储器由EEPROM主宰，一般来说，EEPROM的读取范围为1~15米，速率40~640kbps；数据写入范围为1~5米，速率0.3~1kbps，如此短的距离和如此低的写入速度，使很多应用受到限制。例如比较常用的高速公路收费站中，如果车辆高速开过收费口，相关系统甚至来不及写入和验证。而相比之下，F-RAM读的距离都是15米，同样的能量，FRAM读写是等距离的，EEPROM写的距离比较短，除非增大功率，另外速度也是几十倍的差距，而写的时候功耗相比也是三千分之一，FRAM给RFID带来了对等的读写速度，对等的读写功耗，对等的读写距离等一系列卓越性能。

EEPROM与FRAM特性参数比较

此外，相比EEPROM方案在成本方面的区别，刘胜强先生表示，虽然FRAM相比EEPROM价格稍贵，但是从整个系统来讲，目前车辆上及电子收费服务配备的系统需要一颗电池来提供，即系统成本包含标签、读写器和电池，加上安装费用，总成本可能在100元以上。应用FRAM实现的无源系统方案则只需要一个标签，成本降低80%，同时实现了低成本和低功耗，并能省去安装成本和经常更换电池的麻烦。