新思科技(Synopsys)近日推出最新的DesignWare Medium Density Non-Volatile Memory (NVM) IP系列。该 Medium Density NVM IP可填补低位元数NVM与快闪记忆体间的缺口，在无需增加额外光罩和制程步骤的情况下，就能降低裸晶成本达25%，同时还提供高达64KB的晶载记忆体(on-chip memory)。针对小型感测器、电源管理和触控萤幕控制器应用的类比IC设计，Medium Density NVM IP在整合其中的微控制器时，也能降低对外部EEPROM或快闪记忆体的需求。

市场研究公司Semico Research资深市场分析师Richard Wawrzyniak表示：“设计人员将微控制器嵌入至IC设计时，往往需选择昂贵的晶片以便支援嵌入式记忆体，不然就得使用离散记忆体(discrete memory)，这两种选择都所费不赀。新思科技的 DesignWare Medium Density NVM IP正好能填补小型非挥发性记忆体(non-volatile memory)和嵌入式快闪记忆体之间的缺口，对于那些想要提高非挥发性记忆体的千位元组(kilobytes)又不想增加额外成本的设计人员来说，是非常理想的选择。”

 

DesignWare Medium Density NVM IP产品为5V CMOS和BCD制程技术带来快闪记忆体的功能，其中，错误检测校正功能可提升系统可靠性并减少实作。此外，相较于低位元数的NVM解决方案，NVM IP可提供5倍以上的密度以及40奈秒(nanoseconds)的存取时间，以达到快速读取时间和即时运算。NVM IP通过新思实验室严格的特性量测、认证和可靠性检测，其温度乘载力从-40°Cto 125°C，且资料保存可达10年之久。

 

新思科技IP及原型建造行销副总裁John Koeter表示：“为了将微控制器整合至类比IC中，记忆体的需求量变得越来越大，因此设计人员需要一套符合成本效益同时兼顾功能的记忆体解决方案。新思科技的 DesignWare Medium Density NVM IP提供设计人员对于快闪记忆体之实惠的替代方案，同时还能提供所有必要的功能特色，协助他们以较少的风险，将所要的功能整合至系统单晶片中。”

 

新思科技的DesignWare IP组合阵容，包括由控制器、PHY 、下一代验证IP 、类比IP、嵌入式记忆体、逻辑库、处理器解决方案以及次系统组成的介面IP解决方案。为加速原型设计、软体开发、将IP整合至SoC，新思科技的IP 套件式解决方案(IP Accelerated Initiative)提供IP原型建造套件、IP软体开发工具组和客制化的IP子系统。新思科技以良好的IP品质、广泛的技术支援、强健的IP开发技术上，协助设计人员一方面降低整合的难度，一方面加速品的上市时间。