上半年全行业资本支出增长异乎寻常，所以市场调研机构 IC Insigts 调高了预期。该机构认为，2017 年全球半导体资本支出总金额预计为 809 亿美元，比 2016 年支出（673 亿美元）增长 20%。此前，IC Insights 预期 2017 年资本支出为 756 亿美元（增长 12%）。

 

如图所示，IC Insights 预计，2017 年晶圆代工厂（28%）与 NAND 闪存（24%）支出合计超过全行业支出的一半。DRAM/SRAM 支出增长率或达 53%，雄踞各子行业资本支出增长率之首。自 2016 年第三季度出现 DRAM 涨价潮以来，DRAM 制造商就不断加大投入。虽然厂商在 DRAM 上的投入主要用于技术升级，但 DRAM 厂商 SK 海力士最近承认，其资本支出除了用于升级技术，也将用于增加产能。

 

 

即便 2017 年 DRAM 价格还在高涨，但闪存资本支出（190 亿美元）仍多于投在 DRAM/SRAM（130 亿美元）上的钱。IC Insights 认为，2017 年闪存业资本支出基本都投入在 3D NAND 制程技术上，包括三星在韩国平泽新建的巨型 3D NAND 工厂。

 

近两年闪存业表现都很抢眼，2016 年闪存资本支出同比增长 23%，2017 年预计同比增长 33%。不过，历史经验表明，每一轮存储器投资高潮之后，随之而来的将会是产能过剩和价格下跌。三星、SK 海力士、美光、东芝 / 西部数据、长江存储等公司都计划在未来一两年大幅增加 3D NAND 产能，中国的长江存储可能第一次进入这个市场。IC Insights 警示，3D NAND 市场产能过剩苗头已现，而且风险在持续增加。