DRAM 大厂美光出重手反击陆厂挖角行动，上月配合台湾检调单位，针对前华亚科及前瑞晶关键制程和研发人员跳槽至对岸或协助大陆厂进行 DRAM 研发，大规模展开搜索，并限制相关人员出境，估计有上百人遭到约谈及搜索，在业界掀起极大震撼。

这也是美光去年底寄存证信函给大批从美光阵营跳槽至陆厂或协助大陆进行研发的联盟厂商后，正式透过检调单位协助，诉诸法律行动，防止相关营业和技术机密遭窃取。

美光昨天证实已向检调单位提出重要信息遭盗用，并配合检调单位进行调查，但因进入司法调查程序，对到底有多少人遭到调查，目前暂无法对外提供。

消息人士透露，这波遭到美光反制，透过司法途径对从美光并购后的前华亚科和瑞晶员工展开搜索行动，应是已掌握相关人员窃取营业和技术数据跳槽至大陆公司或协助大陆 DRAM 研发的台湾半导体厂。

遭到搜索的相关人员尤其集中华亚科员工。 据了解，在美光提出并购华亚科全数股权后，已有近两百名员工跳槽至大陆合肥长鑫、紫光集团和福建晋华等公司，因为大陆相关发展 DRAM 公司祭出比台湾二至三倍高薪，全力挖角。

但紫光集团透过管理澄清，目前挖角前华亚科的员工多数是属于建厂相关事务人员，紫光集团决定朝自主研发 DRAM、储存型闪存（NAND Flash）等，目前重心先投入 3D NAND Flash 研发。

美光展开司法反制行动，确已收到强大恫吓和阻挠陆厂开发 DRAM 脚步，据了解，跳槽至福建晋华负责研发利基型 DRAM 的多位重要成员，也是这次遭到调查和限制出境的对象；由福建晋华出资设在联电南科厂的试产线已暂时停止，正由检查人员进行调查。

 

美光防范技术流向陆厂动作

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