晶圆代工厂联电获准授权 28 纳米技术予中国子公司联芯集成电路制造（厦门），联芯 28 纳米预计第二季导入量产，将抢攻中国手机芯片市场。

联芯甫于去年底投产，目前以 40 纳米制程技术为主，月产能约 1．1 万片规模。

联电今天公告，获准技术授权 28 纳米技术予中国子公司联芯，技术授权金额 2 亿美元。联电表示，联芯将尽快导入 28 纳米制程，预计第二季可进入量产，将抢攻中国手机芯片市场；联芯预计至今年底月产能将扩增至 1．6 万片规模。

至于 2 亿美元技术授权金，联电指出，将依进度认列，只因与联芯为母子公司关系，对损益无影响，仅有现金收入。

N-1 规则，14nm 量产后的推进
根据台湾规定，投资大陆的技术要比台湾的落后一代，也就是所谓的“N－1”规则，联电这次进入大陆，是因为其 14nm 正式投入量产。

23 日也宣布，自主研发的 14nm 鳍式场效晶体管（FinFET）制程技术，已成功进入客户芯片量产阶段，良率已达先进制程的业界竞争水平，此制程将帮助客户开拓崭新的应用于电子产品。

联电 CEO 颜博文表示，这次达成 14nm 量产的里程碑，象征联电成功携手客户，将先进技术导入市场，同时与其他客户的合作也在顺利进行中，将持续优化此制程，充分发挥 14 纳米 FinFET 在效能、功耗和闸密度所具备的优势，以驱动次世代硅芯片于网络、人工智能和各类消费产品等各领域的应用。

联电 14 纳米 FinFET 制程效能竞争力已达业界领先标准，速度较 28nm 增快 55％，闸密度则达两倍，此外，功耗亦较 28 纳米减少约 50％。 此 14nm 客户芯片现正于联华电子台南的 Fab 12A 晶圆厂生产中，未来将因应客户需求，稳步扩充其 14nm 产能。

联电宣布自主研发的 14 纳米鳍式场效晶体管（FinFET）制程技术， 也宣告联电已决定将厦门联芯的晶圆制程推进到 28nm 量产，抢食在大陆制造最大一块的手机和网通芯片代工商机。

颜博文强调，14 纳米 FinFET 制程效能竞争力已达业界标准，速度比 28 nm 增快 55％，闸密度达两倍，而且芯片功耗也较 28nm 减少约 50％。

28nm 进攻大陆，中芯国际受冲击？
联芯集成电路是联电和厦门政府合作的 12 寸晶圆厂，计划开始于 2015 年，而到 2016 年 6 月，该工厂已经交付投产，并在 7 月底投入试产，良率也高达 98％。在产能布建上，2016 第 4 季月产能约达 3 千片，从 2017 年开始，逐季扩充产能，2018 年第二季平均月产能就可达到 2．5 万片规模。

业界人士认为，联芯 55／40 纳米制程可用来生产嵌入式芯片、CMOS 影像感测器、通讯芯片等，高通将成为联芯主要客户之一。

目前，联电 28 纳米制程采用崭新的应力技术（SMT， t－CESL， c－CESL） 与嵌入式 SiGe，以强化电子迁移率的表现，专为需要高效能与低功耗之应用产品所开发。目前已采用 28HLP SiON 与 28HPM／HPC HK／MG 制程量产多家客户产品。联电现正积极扩增 28 纳米产能，以满足客户对此广受欢迎制程的高度需求。

28HLP- 采用强化的 SiON 技术
联电高效能低功耗（HLP） 制程为 40 纳米平顺的制程移转途径，具备了便于设计采用，加速上市时程，以及优异的效能／成本比。针对有高速要求的客户应用产品，此制程提供了大幅提升的效能与功耗，速度可较业界其他晶圆专工厂提供的 28nm SiON 制程提升 10％。

28HPM／HPC - 采用高介电系数／金属闸极堆叠技术
联电 28HPM／HPC 技术广泛支援各种元件选项，以提升弹性及符合效能需求，同时针对多样的产品系列，例如应用产品处理器、手机基频、WLAN、平板电脑、FPGA 及网通 IC 等。具备高介电系数／金属闸极堆叠及丰富的元件电压选项、记忆体位元组及降频／超频功能，有助于系统单芯片设计公司推出效能及电池寿命屡创新高的产品。

在联芯进入 28nm 之后，因为联电的良率明显比中芯国际的稳定，而这个制程更是中端手机芯片和高端网络芯片的必备制程，他们进入大陆，势必会给中芯国际造成冲击。对于中芯来说，需要应对的问题又多了一个。

 

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