CINNO Research 产业资讯，韩国第二大半导体设备厂商 Wonik IPS 实现了前工程核心设备的韩国国产化。被日本 TEL 垄断的“金属 CVD”设备实现了自主开发。未来该设备持续发展的可能性很大，引起业界关注。

 

Wonik IPS 最近开发的金属 CVD 设备 NOA

根据韩媒电子新闻报道，10 月 28 日业界消息，Wonik IPS 首次量产了新型金属 CVD 设备“NOA”，并向 SK 海力士青州 M15 供应。M15 是 SK 海力士的核心 NAND 生产基地，生产 128 层 NAND Flash 等产品。

 

Wonik IPS 自主开发的金属 CVD 设备，用在半导体八大工艺之一的金属配线工艺中。金属配线工艺是连接金属线的前过程，用于确保电信号能顺利输送到半导体电路。

 

金属线由电阻低、附着性好的铜(Cu)、钨(W)、铝(Al)等制成。问题是这种材料制成的金属线的粒子会渗透进在元件内扮演重要角色“绝缘膜”内。若没有合适的方案，绝缘膜的功能就会大打折扣，造成产品品质下降。

 

为了防止这种情况，在金属线和绝缘膜之间套上一层薄的防止膜，防止两种物质的混合。这种膜被称为金属隔膜（Metal  barrier），由钛（Ti）或氮化钛（TiN）制成。

 

据了解，Wonik IPS 此次首次量产供应的金属 CVD 设备，是制造这种金属隔膜时运用的设备。NOA 设备不仅采用隔膜工艺，还可以应用钨金属排线作业、新一代沉积技术原子层沉积工艺(ALD)。未来，这种设备的利用可能性将是无穷无尽的。

 

Wonik IPS 此次量产，实现了韩国装备行业以往从未商业化的金属 CVD 设备的韩国国产化，意义重大。

 

此前，金属 CVD 设备领域一直由日本 TEL 以领先的技术主导。据传，去年日本出口管制问题发生时，SK 海力士列举的需要韩国国产替代的品种中即包括金属 CVD 设备，可见占有率相当可观。

 

经过 3 年多的研发，Wonik IPS 终于能够将该产品交付给 SK 海力士最先进的 NAND 工厂。虽然以前也拥有名为“阿克拉”的金属 CVD 设备，但并未确保可应用于半导体大型企业主力工艺的技术水平。

 

但业界评价，此次开发的设备在薄膜的均匀厚度、良率、晶圆生产效率等，都达到了与 TEL 设备性能相媲美的水平。另外，据了解，三星电子华城、平泽工厂的量产线为了引进该设备也在进行各种测试。

 

一位设备业界相关人士评价称：“即使没有全球企业像网罗一样布局的专利技术，开发自主的设备也很有意义。”

 

 

Wonik IPS 的 Molding 设备 Quanta

另外，Wonik IPS 在 NAND Flash 沉积装备领域相继取得韩国国产化案例成果，备受关注。

 

近日，Wonik IPS 在 NAND Flash 工艺中，实现了 Oxide 和氮化物物质的交替蒸镀的 Molding 工艺设备的韩国国产化，并向三星电子海外 NAND 基地西安工厂等供应。该设备也被运用在 100 层以上的超高层 NAND Flash 工艺中。