来源：文章转载自期刊《微纳电子与智能制造》
作者：张 波，章文通，蒲 松，乔 明，李肇基，谢谢。
摘 要
超结功率半导体器件是一类具有超结耐压层的重要器件，超结将PN结引入到常规“电阻型”耐压层中，使之质变为“结型耐压层”，这种质变突破传统功率器件比导通电阻和耐压之间的 R on,sp ∝ V B 2.5 “硅极限”关系，使之降低到 R on,sp ∝ V B 1.32 ，甚至 R on,sp ∝ V B 1.03 ，超结器件也因此被誉为功率半导体器件的“里程碑”。从耐压层角度回顾功率半导体40年发展的3个里程碑，综述了超结的发明、概念与机理、技术与新结构，并总结超结发展历程与趋势。
责任编辑：Sophie
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