新华网上海5月14日电（记者潘清）在国家持续加大对集成电路产业扶持力度的背景下，我国 芯片设计行业呈现快速发展态势。由上海市“千人计划”专家黄风义博士创办的爱斯泰克（上海）高频通讯技术有限公司近日发布三款芯片，显示本土企业在 射频收发系统集成电路芯片（RF SoC）设计开发方面取得重要进展。

据了解，三款自主设计并开发的核心芯片涵盖宽频带、可重构及高宽带等芯片，主要瞄准中高端应用的 射频芯片 市场，可广泛应用于第五代移动通讯（5G)、超高速无线物联网、射频传感器、卫星通信以及特种专用高宽带通信、导航、雷达等系统。

其中两款芯片以及场效应晶体管射频模型技术，于今年4月经北京大学、中科院、中国电子科技集团有限公司等单位专家组成的专家组进行技术鉴定，显示“成果达到国际先进水平”。其中的一款芯片近20项综合性能指标 测试结果与国际 产品及文献发表结果相比，5项指标接近国际一流水平，7项关键指标达到国际一流水平，7项关键指标优于国际上已报道的最好水平。

据了解，此前黄风义团队已在射频芯片元件模型领域取得突破性进展。2006年，其针对电感等元件开创特征函数法用于电感模型参数提取和 结构优化，研究成果发表在国际集成电路领域权威期刊《固态电路杂志》（IEEE JSSC）及微电子领域权威期刊《电子器件快报》（IEEE EDL），并被中文核心期刊《科技导报》评选为2006年度“中国重大科学进展”。

在集成电路芯片应用最广泛的场效应晶体管模型方面，黄风义团队历经10多年研究探索，于2016年底在深亚微米、超高速晶体管的射频模型 结构中发现了新的沟道效应，突破了被国际产业界沿用30多年的核心沟道单元。此项成果发表在《电子器件快报》。

作为信息产业的基础，集成电路芯片技术处于当今国际高科技领域前沿。中国是全球最大芯片 市场，但在相关领域起步较晚，绝大多数芯片仍依赖进口。海关总署统计显示，2016年、2017年我国集成电路芯片进口总额均超过1万亿元人民币，高于同期原油进口额。

针对这一状况，2014年发布的《国家集成电路产业发展推进纲要》提出，到2020年集成电路产业与国际先进水平的差距逐步缩小，全行业销售收入年均增速超过20%，企业可持续发展能力大幅增强。移动智能终端、网络通信、云计算、物联网、大数据等重点领域的集成电路设计技术达到国际领先水平，产业生态体系初步形成。

在相关政策的扶持下，我国芯片产业快速成长，设计开发环节进步尤其显著。半导体行业协会数据显示，2017年我国集成电路产业总销售额为5411亿元，其中设计业占比达到38%。

以上述爱斯泰克项目为例，相关技术和 产品的成功研发，表明在高端射频集成电路 芯片设计及射频元件模型两大领域，我国部分前沿技术开发已接近国际先进水平。业界评价认为，移动通讯、雷达等射频集成电路芯片实现自主化，可助力我国通信产业加快升级，推动5G布局步伐。