超高压SiC器件将成为智能电网跨越式发展新引擎

来源: 来源: 老杳吧 作者:责任编辑:Sophie 2018-07-22 14:00:37
一、固态变压器(SST)技术简介
其基本原理框图如图1:首先工频交流信号经电力电子变换器变换为高频方波信号,信号通过高频隔离变压器传输,再经电力电子变换器将高频方波信号还原成工频交流信号。该过程可以通过控制器对电力电子变换装置进行适当的控制来完成。
01
第一环节
AC/DC整流器,将7KV单相交流电变换成10KV直流电。
02
第二环节
高频DC/DC变换器,将DC 10K变换成DC 400V。它包括高压H桥电路、低压H桥电路和中间高频变压器构成。
03
第三环节
DC/AC逆变器,将DC 400V变换为60Hz,±120V的交流电。
通过提高DC/DC变换器和DC/AC逆变器的工作频率,可以实现比常规变压器体积减小、重量变轻的目标,从而大大减小无源器件的尺寸和重量。
二、SiC碳化硅器件在固态变压器中的应用
近年来,作为新型的宽禁带半导体材料——碳化硅( SiC),因其出色的物理及电特性,正越来越受到产业界的广泛关注。碳化硅功率器件的重要优势在于具有耐高压(达数万伏)、耐高温(大于500℃)特性,突破了硅基功率器件电压(数kV)和温度(小于180℃)限制所导致的严重系统局限性。随着碳化硅材料技术的进步,各种碳化硅功率器件被研发出来,如碳化硅功率二极管SBD、MOSFET等,由于受 、产量以及可靠性的影响,碳化硅功率器件率先在低压领域实现了产业化,目前的商业 电压等级在650-1700V,固态变压器中采用的 仍多为串联。未来几年,随着技术的进步,高压碳化硅器件,特别是15kV以上碳化硅器件的出现,以及相应 技术和抗干扰技术的发展,将有利于固态变压器的 简化及可靠性提升。
三、总结
实践结果表明SiC器件可以显著简化固态变压器的电路结构,减小散热器空间,并通过提升开关频率来提高单位功率密度。由此可见,新型高压大容量碳化硅功率器件将在固态变压器应用中开辟出全新的应用,对智能电网的发展和变革产生持续的重大影响。
责任编辑:Sophie

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