来源：内本文由 公众号 半导体行业观察（ID：icbank）翻译自semiengineering，谢谢。
随着芯片商开始在上推进10nm/7nm技术，供应商也在为下一代3nm晶体管类型的开发做准备。
有些公司已经宣布了3nm的具体计划，但向3nm节点的过渡预计将是一个漫长而坎坷的过程，充满了一系列技术和方面的挑战。例如，3nm芯片的设计可能会超过10亿美元之巨！此外，3nm也存在一些不确定因素，这些不确定因素可能在一夜之间改变一切。
然而，这并未让任何厂商缺席。三星和GlobalFoundries分别宣布计划开发一种新的晶体管技术，称为nanosheet FET，即所谓3nm的可变栅宽度技术。例如，三星希望在2019年之前推出PDK（V0.01版），并计划在2021年投入。与此同时，台积电正在研发3nm的nanosheet FET及其相关技术——nanowire FET，但台积电尚未公布最终计划。与此同时，英特尔尚未谈到它的计划。
晶体管在芯片中起开关的作用。目前最前沿的晶体管——finFET已经发展到了16nm/14nm和10nm/7nm。2020年前后，预计5nm finFET将会出现，但是除非有新的突破，否则finFET可能会止步于3nm。
图1：FinFET vs 平面 （来源：Lam Research）
这就是为什么行业正在研发nanosheet FET和nanowire FET，它们被认为是当今finFET的前进之路。在finFET中，对电流的控制是通过在鳍片的三个面上施加栅极来实现的。
nanosheet FET和nanowire FET都被归为环栅技术（gate-all-around）。它们在的四个面施加栅极，从而能够更好地控制电流。在nanosheet和nanowire中，finFET被放置在它的一侧，然后被分割成分离的水平片，组成沟道。栅极环绕着沟道。
与nanowire FET相比，nanosheet FET具有更宽的沟道，这意味着器件具有更强的性能和更大的电流。这就是为什么nanosheet在上越来越受欢迎。
图2 （a）finFET（b）nanowire（c）nanosheet 的横截面图。（来源：IBM）
但是迁移到nanosheet FET或nanowire FET并非易事。首先，环栅器件的性能和微缩效益值得商榷。国际商业战略公司（IBS）首席执行官Handel Jones表示：“行业需要大幅增强功能，小幅提高晶体管成本，以此证明使用3nm技术是合理的。问题在于3nm工艺节点的定义，以及理解环栅技术真正的优点所在。”.
设计成本也是问题之一。据IBS称，一般而言，IC设计成本已从28nm平面器件的5130万美元上涨到7nm的2.97亿美元和5nm的5.422亿美元。但是3nm的IC设计成本从5亿—15亿美元不等。15亿美元这个数字涉及到英伟达的复杂GPU。
图3：IC设计成本攀升 （来源：IBS）
因此，客户在考虑迁移到3nm之前，可能会在某些节点停留更长时间，比如16nm/14nm和7nm。有些客户可能永远不会迁移到3nm。如果环栅技术出现，那么3nm可能会在2021年的目标日期之后推出。
还有一些客户可能转向nanosheet，但这将是一项艰巨的任务。为了帮助行业占得先机，Semicondur Engineering已全面分析了环栅技术及其所面临的挑战。
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