近日,三星公布了其半导体工艺路线图,除了今年下半年使用EUV的7nm量产之外,接下来还将有5nm和4nm FinFET,而到了2020年则会开始3nm基于Gate All-Around (GAA)晶体管的最新工艺。除此之外,ASML则确认了其光刻机使用EUV加上大数字孔径可以实现1.5nm的特征尺寸从而可望支持摩尔定律发展到2030年。近些年来,“摩尔定律接近尾声”的声音不绝于耳,而这些消息却像是给摩尔定律打了一剂强心针,至少在技术上我们还能继续把特征尺寸缩小这件事继续做几年。 从平面工艺到GAA 责任编辑:官方微信
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