在大家对摩尔定律的质疑声中，工艺制程已经推进到了7nm，未来的5nm和3nm也都在固化之中。但我们应该见到，无论对于晶圆厂、EDA工具提供商或者测试厂来说，挑战日益严峻，尤其对于测试方面。

首先是电子阱测试的问题。

电子阱存在于MOSFET的沟道之中，随着工艺的演进，器件MOSFET的沟道变得越来越短，这就会影响器件稳定性以及器件间的失配。为了能测量出器件中电子阱的数量，传统方法是在直流情况下测试器件的随机电报噪声，但在先进工艺（如16nm），这样的测量就显得有些力不从心。

另一方面，MOSFET的迁移率（迁移率是MOSFET性能的重要指标）的测量也成为从业者关注的另一个重要问题。

传统的慢速方法无法捕捉到电荷阱和栅极漏电流等瞬态效应的影响，而且在测试过程中需要改变MOSFET的漏端电压并有一次更换线缆的动作，进而造成误差。

为此，供应商们与时俱进的推出了新的测试方案，帮助其客户解决问题。

例如面向电子阱的问题，泰克采用了栅极加交流电的情况下去测随机电报噪声的方法，从而提高电子阱的测试准确率和测试灵敏范围。

至于迁移率测量，泰克则采用（Ultra-Fast Single Pulse）UFSP的方法仅需一次快速打一个很短的脉冲（几微秒）即可测出迁移率，避免了传统方法的几个问题。

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