三星半导体发力中国，全球闪存市场恐生变
来源： 来源: 半导体行业观察 作者：责任编辑：Sophie 2019-10-11 14:00:15
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南韩媒体报导，全球NAND龙头三星电子正考虑追加投资还在兴建中的第二座西安储存型快闪记忆体（NAND Flash）工厂。
业界人士认为，在记忆体市场供应过剩之际，三星此举可能为市况增添不确定性，牵动群联、威刚、创见等NAND相关业者营运。
韩媒BusinessKorea报导，证券与半导体产业消息人士9日透露，三星电子计划将记忆体芯片厂明年资本支出小幅调高至65亿美元，增加的金额预期投入西安第二座半导体工厂，将在年底宣布计画。
三星已在2014年完工的首座西安厂量产第一代V-NAND型快闪记忆体。
然而，三星2017年8月与西安省政府签署兴建第二座工厂的备忘录，并宣布直到2020年前计划投资70亿美元，因为当时即使首座工厂产能全开，NAND芯片供应也不足。
三星为遵守向陆方的承诺，正面临要在明年8月前让第二座西安厂完工并全面营运的压力。
花旗分析师李世哲（音译）说：
「预期三星电子扩大投资，每月能处理多达4万片晶圆。
」
业界认为，三星扩厂将增加市况不确定性。
不同于DRAM市场，NAND市场正逐渐显示复甦迹象，128Gb MLC NAND快闪记忆体产品9月底报价维持在4.11美元，与8月持平，7月底则出现两年来首度价格回升的状况，8月更写下逾2%的涨幅。
在当前情况下，三星额外投资与扩产将不会大幅冲击市况，但在SK海力士与美光等其他厂商减产之际，三星将乘机拿下更多市占。
市研业者IHS Markit表示，三星的NAND市占率在今年第3季已上升至38.6%，较第1季增加6个百分点。
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