来源：内容来自钜亨网 ，谢谢。

科技市调机构IC Insights 最新统计指出，受惠记忆体强劲需求与产值成长带动下，估计今年全球半导体产值将年增16%，是自2010 年(当年成长33%) 以来，首度年产值2位数成长，其中， DRAM 产值估成长55%，FLASH 估成长35%。

IC Insights 表示，DRAM 与FLASH 产业今年产值能有明显成长率，主要是因价格上涨，而非产品数量增加，扣除这2 个市场，今年半导体市场产值预估成长约6%。

IC Insights 指出，半导体今年产值成长16%，除了是2010 年以来首度2 位数的成长幅度，也是2000 年以来第5 次成长2 位数。IC Insights最新预测，这主要是由存储推动的。他们认为今年DRAM市场将较去年成长55% ， NAND快闪记忆体市场也预计将增长35%，但最主要是受到记忆体价格快速攀升所带动，而非销量成长。

事实上，IC Insights 表示，2013 年与2014 年，DRAM 产业就带动全年半导体产值成长，2013 年DRAM 产业产值成长5%，半导体成长2%，2014 年DRAM 产业成长7%，半导体成长3%。

IC Insights 认为，今年全球DRAM 产业产值将达642 亿美元，是半导体产业中单一最大产品领域，大幅超越第二大PC 与伺服器使用的MPU 芯片市场(471 亿美元)。

今年半导体产业中，也以DRAM、FLASH 等两大记忆体相关产业表现最好，包含记忆体与FLASH 下半年价格也可望缓步上扬，相对逻辑记忆体相关，今年受到智能手机库存修正等因素影响，成长率较为趋缓。

存储可能面临过剩风险

韩媒etnews 报导，南韩记忆体大厂SK海力士（SK hynix）26日表示，今年将斥资86.1亿美元（约9.6兆韩圜），进行设备投资。此一金额比年初宣布数字高出37%，也比该公司去年的设备投资总额高出53%。

SK 海力士撒钱，是想让新厂提前完工。该公司主管Lee Myung-young 说，生产DRAM 的中国无锡厂和生产NAND Flash 的南韩清州（Cheongju）厂，原定完工时间是2019 年上半，如今将提早至2018 年第四季，比预定时间提早半年。

SK 海力士强调，新厂落成后，记忆体产出不至于暴增，估计DRAM 和NAND Flash 产能只会增加3~5%，呼吁市场放心。业界人士认为，这是因为资金多用于技术升级。

三星也在上半年对设备投资了12.5 兆韩圆，直逼去年一整年的投资额度13.1 兆韩圜；专家估计，三星今年的投资总额或许会攀升至20 兆韩圆，而V- NAND 型快闪记忆体、影像感测器和晶圆代工业务将是投资重点。

不少人担忧，三星、SK 海力士投资大增，恐怕会让产能过剩，最终导致供给过多、报价下滑。美国记忆体大厂美光（Micron Technology）最近就因为市场忧心供需失衡，股价连番下挫，自7 月24 日起跌迄今，股价已重挫逾11%。

记忆体业者大手笔投资，也让IC Insights忧心忡忡。该机构18日新闻稿称，记忆体以往市况显示，过度投资常会造成产能过剩、削弱价格。未来几年三星电子、SK海力士、美光、英特尔、东芝/ SanDisk、武汉新芯（XMC） /长江存储（Yangtze River Storage）都大举提高3D NAND Flash产能，未来可能还有中国新业者加入战场， 3D NAND Flash产能过多的可能性「非常高」（very high）。

此外，DRAM 和NAND 的价格涨势也逐渐放缓（见下图）。尽管DRAM 均价涨势在2016 年第四季触顶，但是直到2017 年Q2 仍表现强健。IC Insights 估计，今年Q3 DARM 均价将略为上扬，Q4 则微幅下跌，代表DRAM 上升循环告终。

今天是《半导体行业观察》为您分享的第1354期内容，欢迎关注。

责任编辑：mooreelite