​国产DRAM玩家发力,长鑫存储再获奇梦达专利

来源: 来源: 半导体行业观察 作者:责任编辑:Sophie 2019-12-06 14:03:59

来源:内容来自 半导体行业观察综合


昨日,长鑫存储发布新闻表示,公司与 Quarterhill Inc.(多伦多证券交易所代码 QTRH)(纳斯达克代码 QTRH)旗下的 Wi-LAN Inc.。今日联合宣布,就原动态随机存取存储芯片(DRAM)制造商奇梦达开发的 DRAM 专利,长鑫存储与 WiLAN 全资子公司 Polaris Innovations Limited 达成专利许可协议和专利采购协议。


依据专利许可协议,长鑫存储从 Polaris 获得大量 DRAM 技术专利的实施许可。 这些专利来自 Polaris 于2015年6月从奇梦达母公司英飞凌购得的专利组合。

依据独立的专利采购协议,长鑫存储从 Polaris 购得相当数量的 DRAM 专利。


此专利许可和专利采购协议中所包括的交易金额等商业秘密条款在此不予披露。


“长鑫存储将继续通过自主研发以及与 WiLAN 等国际伙伴的合作,不断增加在半导体核心技术和高价值知识产权方面的积累。 ”长鑫存储董事长兼首席执行官朱一明表示。 “两份协议标志着,在完善知识产权组合、进一步强化技术战略和保障 DRAM 业务运营方面,长鑫存储采取了新举措。


“长鑫存储是中国 DRAM 产业引领者。 很高兴看到长鑫存储认可 Polaris 所持 DRAM 专利的价值。 这两份协议表明,长鑫存储高度重视知识产权,致力于持续投入研发。 我们相信,由此获得的权益将使长鑫存储在业内拥有竞争优势,助力长鑫存储持续开发 DRAM 关键技术。 ”WiLAN 总裁兼首席执行官 Michael Vladescu 表示。 “与长鑫存储的协议将推动 WiLAN 在中国等主要新兴市场进一步开发业务机会,从而继续为母公司 Quarterhill 和投资者创造更多价值。


对长鑫存储而言,这个合作对他们的DRAM发展是一个中大利好。


因为奇梦达曾经是DRAM行业的技术领导者,当年在46纳米堆叠式架构上成功创新及研发了在全行业应用至今的蜂巢式电容排布和埋入式字线晶体管技术,构成全行业的宝贵技术财富。


在今年五月,长鑫存储董事长兼首席执行官朱一明也在一场公开演讲中,长鑫存储已经将一千多万份源自于奇梦达的DRAM相关技术文件及2.8TB数据收归囊中,这也是公司最初的技术来源之一。


而这次新的合作,更是增强了长鑫在DRAM上的实力。


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