新思科技近日宣布与GLOBALFOUNDRIES (GF)合作，针对GF的12纳米领先性能(12LP) FinFET工艺技术，开发覆盖面广泛的DesignWare® IP组合，包括多协议25G、USB 3.0和2.0、PCI Express® 2.0、DDR4、LPDDR4/4X、MIPI D-PHY、SD-eMMC和ADC/DAC转换器。
新思科技基于GF 12LP工艺的DesignWare IP使设计人员能够借助GF的12LP技术，在其人工智能(AI)、云计算、移动和消费片上系统(SoC)中实现最新的接口和模拟IP解决方案。与前几代FinFET相比，12LP技术在逻辑密度上提高了10%，性能提高了15%以上。基于两家公司长期伙伴关系，双方已联手开发出针对GF从180纳米到12纳米工艺的DesignWare IP。
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