Samsung 5 日宣佈正式量产全球首款採用 10nm 制程生产的 DDR4 DRAM 颗粒，加快半导体市场迈向更精密的 10nm 制程工艺之路，继 2014 年首个量产 20nm 制程 DDR3 记忆体颗粒，成为业界领先。
Samsung 最新开始量产的 10nm 制程 8Gb DDR4 DRAM 颗粒支援 3200Mbps 数据传输频率，相对 20nm 制程 DDR4 DRAM 颗粒效能提升约 20% ，同时，其功耗能减底 10% 至 20 % ，高效低耗的特质适用于新一代 HPC （ 高效能运算 ） 、大型企业网络或主流电脑及伺服器市场。
据 Samsung 表示， 10nm 制程 DDR4 RAM 克服多项技术挑战，包括独有的单元设计技术、四重曝光技术 （QPT） 、超薄介质层沉积技术等等，而且能沿用现有的光刻技术 （photolithography） ，令生产成本及效率均得到正面得益。
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