飞兆半导体的PowerEdge双频WCDMA/UMTS射频功率放大器模块（ PAM）将功率附加效率（PAE）提高到42％，这是对竞争产品的重大改进。作为首款采用3x3 mm LCC封装提供1850-1910 MHz和1920-1980 MHz工作频率的3G PAM，该器件比其他4x4 mm封装小约44％。
PAM解决了当今3G手机，PDA和无线PC数据卡的高效率，频率灵活性和尺寸要求。它还符合新兴的高速下行链路分组接入（HSDPA）标准。
“飞兆半导体的PowerEdge双频段PAM使OEM能够设计产品，使客户能够获得更大的频段选择，并显着扩大覆盖范围，”飞兆半导体RF功率产品部总经理Russ Wagner说。 “随着手机功能日益融合，以及对功率效率的需求，RMPA2265在业界最小的封装中提供了减少电路板空间，延长通话时间和双频段灵活性的优势。”
通过飞兆半导体专有的InGaP异质结双极晶体管（HBT）技术，该产品具有出色的线性度和高功率附加效率。该器件具有可选的高/低功耗模式，用于进一步优化电流消耗。两级功率放大器内部匹配输入和输出至50欧姆，以最大限度地减少外部元件的使用，从而简化设计要求。
无铅（Pb）RMPA2265符合或超过IPC/JEDEC联合标准J-STD-020B的要求，并符合现已生效的欧盟要求。
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