Directed Energy （DEI） 成立于 1987 年，前身为 Directed Energy，由 George Krausse、Dave Adamson 和 Ron Sherwood 合并成立。目标很简单;将射频功率MOSFET带入行业，并通过我们获得专利的DE系列低电感、高速、高功率密度封装提供不折不扣的性能。当我们与客户合作时，我们意识到还需要能够高速提供高功率和/或高压脉冲的系统和模块产品。我们开发了仪器产品线来满足这一需求，并帮助客户满足他们的最终要求，而无需开发、制造或维护这种利基技术。

设计原始 DE 系列封装以实现极致的性能改进意味着使用我们获得专利的低电感设计以及 BeO、氮化铝陶瓷组件以及其他专用材料。随着该技术被更广泛地接受，我们意识到许多目前没有使用我们设备的市场将受益于我们封装设计的高性能。