宏捷科技股份有限公司创立于1998年四月，位于台湾台南科学工业园区。 是全球少数专业六寸砷化镓晶圆代工厂之一，其月产能为13，000片六吋晶圆，且位于同一现址的二期厂房已于2020年七月份完工，预计最大产能可扩充为每月35，000片六吋晶圆，为全球第二大砷化镓晶圆代工厂。

宏捷科技股份有限公司系以制造如HBT （注1） / ED-pEHTM （注2） / ED-BiHEMT （注3） 为主之砷化镓微波集成电路（GaAs MMIC）的专业晶圆代工厂。 其高可靠度的HBT制程能力，可应用于手机如4G LTE / 5G Sub-6GHz，以及WiFi如WiFi5 （11.ac）、WiFi6 / WiFi6E （11.ax）之功率放大器（Power Amplifier） ; 同时，高效能的ED-pHEMT工艺能力，以T-Gate技术实现开关（Switch）及低噪放（Low Noise Amplifier）设计，应用产品如卫星通讯、全球定位系统（GPS）及WiFi; 而单芯片高度整合设计的ED BiHEMT则亦可应用于智慧型手机及WiFi等产品。 此外，在光通讯及3D感测领域中，宏捷科技在正面发光（Top Emitting）与背面发光（Bottom Emitting）的VCSEL （注4）技术皆有相当稳定且高良率的制程能力，并可整合如Microlens与Grating等技术。 针对于高功率、高频率的六吋氮化镓（GaN，Gallium Nitride）技术，亦在宏捷科技技术发展的蓝图当中，目前已完成制程开发，并与多个客户进行工程讨论中，预计将于2022年上半年开始量产。