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描述：
Nch Power MOSFET 60V 100A 4.6mohm TO-262 / I2PAK
Nch Power MOSFET 60V 100A 4.6mohm TO-262 / I2PAK
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生命周期：量产
概述
The N0603N is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
特性
- Low on-state resistance
RDS(on) = 4.6 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 50 A) - Low input capacitance
Ciss = 7730 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) - High current
ID(DC) = ±100 A - RoHS Compliant
概述
The N0603N is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
特性
- Low on-state resistance
RDS(on) = 4.6 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 50 A) - Low input capacitance
Ciss = 7730 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) - High current
ID(DC) = ±100 A - RoHS Compliant
封装参数
- 属性参数值
- Package封装主要参数TO-262-3Mounting Type安装类型主要参数通孔
- Pin Count端子数量主要参数3Length(mm)长主要参数10 mm
- Width(mm)宽主要参数9 mm
技术参数
- 属性参数值
- TOP(°C)工作温度主要参数+150℃(Tj)PD(mW)耗散功率主要参数1.5W(Ta),156W(Tc)
- Configuration内部结构主要参数MOSFET N 通道,金属氧化物FET TypeFET 类型主要参数N沟道
- Vdss漏极-源极电压主要参数60VVgss栅极-源极电压主要参数±20V
- Id漏极电流主要参数100ARds(on)@Vgs,Id漏极-源极导通电阻主要参数4.6mΩ@50A,10V
- Ciss@Vds输入电容主要参数7730pF@25VQg@Vgs栅极电荷主要参数133nC@10V
- Technology技术主要参数MOSFET(金属氧化物)VD(V)驱动电压主要参数10V
合规参数
- 属性参数值
- ReachReach状态主要参数未受影响RoHS状态RoHS状态主要参数合规
- Pb-free无铅主要参数是MSL湿敏等级/湿度敏感等级/湿气敏感性等级主要参数1
交易参数
- 属性参数值
- Lifecycle生命周期主要参数量产Lifecycle Risk生命周期风险主要参数低
- Factory Packing Type工厂包装类型主要参数TubeFactory Packing Quantity工厂包装数量主要参数500
- HTSHTS编码主要参数8541.29.0095ECCNECCN码主要参数EAR99
- Weight(g)重量/质量主要参数1克(g)
