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描述：
OPTIMOS POWER MOSFET
OPTIMOS POWER MOSFET
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生命周期：衰退期
芯查查商城现货
供应商：广东艾矽易信息科技有限公司
库存： 8484 PCS
价格： ¥10.48331
特性
-
OptiMOS™ power MOSFET
-
N-channel MOSFET
-
Enhancement mode – Normal Level
-
Extended qualification beyond AEC-Q101
-
Enhanced electrical testing
-
Robust design
-
MSL3 up to 260°C peak reflow
-
175°C operating temperature
-
Green product (RoHS compliant)
-
100% Avalanche tested
特性
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OptiMOS™ power MOSFET
-
N-channel MOSFET
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Enhancement mode – Normal Level
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Extended qualification beyond AEC-Q101
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Enhanced electrical testing
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Robust design
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MSL3 up to 260°C peak reflow
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175°C operating temperature
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Green product (RoHS compliant)
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100% Avalanche tested
封装参数
- 属性参数值
- Package封装主要参数PG-HSOF-5-1Mounting Type安装类型主要参数表面贴装型
技术参数
- 属性参数值
- TOP(°C)工作温度主要参数-55℃~+175℃(Tj)TOP min(°C)最低工作温度主要参数-55℃
- TOP max(°C)最高工作温度主要参数+175℃PD(mW)耗散功率主要参数172W(Tc)
- FET TypeFET 类型主要参数N沟道Vgss栅极-源极电压主要参数±20V
- Id漏极电流主要参数51AV(GS)th栅极-源极阈值电压主要参数3V@90uA
- Rds(on)@Vgs,Id漏极-源极导通电阻主要参数0.8mΩ@100A,10VCiss@Vds输入电容主要参数7088pF@25V
- Technology技术主要参数OptiMOS™-6
合规参数
- 属性参数值
- AEC-QAEC-Q主要参数AEC-Q101ReachReach状态主要参数未受影响
- Pb-free无铅主要参数是MSL湿敏等级/湿度敏感等级/湿气敏感性等级主要参数3(168小时)
交易参数
- 属性参数值
- Lifecycle生命周期主要参数衰退期Lifecycle Risk生命周期风险主要参数高
- Factory Packing Type工厂包装类型主要参数卷带(TR)剪切带(CT)Factory Packing Quantity工厂包装数量主要参数2000
- Weight(g)重量/质量主要参数1克(g)
