S-19100C22A-N4T2U_未细分监控电路_数据手册PDF_datasheet

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S-19100C22A-N4T2U 车规级

封装： SC-82AB

系列名： S-19100xxxA

描述：

FOR AUTOMOTIVE 125°C OPERATION VOLTAGE DETECTOR BUILT-IN DELAY CIRCUIT (EXTERNAL DELAY TIME SETTING)

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图片仅供参考，请查阅数据手册

2.27MB

生命周期：量产

工作温度 : 125°C (最大值) (S-19100xxxA) ｜ 105°C (最大值) (S-19100xxxH)

检测电压: 1.2 V ~ 4.6 V (以0.1 V为进阶单位)
检测电压精度: ±3.0% (2.4 V ≤-VDET ≤4.6 V, Ta = -40°C ~ +125°C); ±(2.5% + 12 mV) (1.2 V ≤-VDET＜2.4 V, Ta = −40°C ~ +125°C)
消耗电流: 270 nA (典型值) (1.2 V ≤-VDET＜2.3 V)
工作电压范围: 0.6 V ~ 10.0 V (CMOS输出产品)
滞后幅度^*1: 5% ±2% (Ta = -40°C ~ +125°C)
延迟时间精度: ±15% (CD = 4.7 nF, Ta = +25°C)
输出方式: N沟道开路漏极输出 (动态 "L")
CMOS输出 (动态 "L")
工作温度范围: Ta = -40°C ~ +125°C
无铅
Sn 100%
无卤素
符合AEC-Q100标准^*2

工作温度 : 125°C (最大值) (S-19100xxxA) ｜ 105°C (最大值) (S-19100xxxH)

检测电压: 1.2 V ~ 4.6 V (以0.1 V为进阶单位)
检测电压精度: ±3.0% (2.4 V ≤-VDET ≤4.6 V, Ta = -40°C ~ +125°C); ±(2.5% + 12 mV) (1.2 V ≤-VDET＜2.4 V, Ta = −40°C ~ +125°C)
消耗电流: 270 nA (典型值) (1.2 V ≤-VDET＜2.3 V)
工作电压范围: 0.6 V ~ 10.0 V (CMOS输出产品)
滞后幅度^*1: 5% ±2% (Ta = -40°C ~ +125°C)
延迟时间精度: ±15% (CD = 4.7 nF, Ta = +25°C)
输出方式: N沟道开路漏极输出 (动态 "L")
CMOS输出 (动态 "L")
工作温度范围: Ta = -40°C ~ +125°C
无铅
Sn 100%
无卤素
符合AEC-Q100标准^*2