描述:
带延迟功能 (外部设定延迟时间) 、0.27 μA消耗电流的电压检测器 S-1009系列
带延迟功能 (外部设定延迟时间) 、0.27 μA消耗电流的电压检测器 S-1009系列
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图片仅供参考,请查阅数据手册
生命周期:量产
概述
S-1009 系列是使用CMOS 技术开发的超高精度电压检测IC。检测电压在内部被固定,精度为±0.5%。消耗电流为270 nA(典型值)的超低消耗电流。另外,还可以通过外接电容器来延迟解除信号。延迟时间精度为±15%。在输出方式上备有N 沟道开路漏极输出和CMOS 输出。与以往的CMOS 电压检测器相比,实现了超高精度、超低消耗电流和超小型封装,所以最适用于便携设备。
特性
- 超低消耗电流
- 270 nA 典型值 (1.2V≤−Vdet<2.3 V)
- 超高精度检测电压
- ±0.5% (2.4 V≤−Vdet≤4.6 V)±12 mV (0.8 V≤−Vdet<2.4 V)
- 工作电压范围
- 0.6 V ~ 10.0 V(CMOS 输出产品)
- 滞后特性
- 5% ±1%
- 延迟时间精度
- ±15% (CD= 4.7 nF)
- 检测电压
- 0.8 V ~ 4.6 V (以0.1 V 为进阶单位)
- 输出方式
- N沟道开路漏极输出(动态“L”), CMOS输出(动态“L”)
- 无铅产品
- Sn 100%
- 无卤素*1
应用
- 微机用电源的监视以及CPU 的复位
- 电视、DVD 刻录机、白色家电等的稳压电源的监视
- 笔记本电脑、数码静像相机、携带电话等携带设备用电源的监视
概述
S-1009 系列是使用CMOS 技术开发的超高精度电压检测IC。检测电压在内部被固定,精度为±0.5%。消耗电流为270 nA(典型值)的超低消耗电流。另外,还可以通过外接电容器来延迟解除信号。延迟时间精度为±15%。在输出方式上备有N 沟道开路漏极输出和CMOS 输出。与以往的CMOS 电压检测器相比,实现了超高精度、超低消耗电流和超小型封装,所以最适用于便携设备。
特性
- 超低消耗电流
- 270 nA 典型值 (1.2V≤−Vdet<2.3 V)
- 超高精度检测电压
- ±0.5% (2.4 V≤−Vdet≤4.6 V)±12 mV (0.8 V≤−Vdet<2.4 V)
- 工作电压范围
- 0.6 V ~ 10.0 V(CMOS 输出产品)
- 滞后特性
- 5% ±1%
- 延迟时间精度
- ±15% (CD= 4.7 nF)
- 检测电压
- 0.8 V ~ 4.6 V (以0.1 V 为进阶单位)
- 输出方式
- N沟道开路漏极输出(动态“L”), CMOS输出(动态“L”)
- 无铅产品
- Sn 100%
- 无卤素*1
应用
- 微机用电源的监视以及CPU 的复位
- 电视、DVD 刻录机、白色家电等的稳压电源的监视
- 笔记本电脑、数码静像相机、携带电话等携带设备用电源的监视
S-1009 系列参数
属性 | 参数值 |
---|---|
Package | SNT-4A, SC-82AB, SOT-23-5 |
特点 | 高精度 |
检测电压 min. [V] | 0.8 |
检测电压 max. [V] | 4.6 |
检测电压进阶单位 [V] | 0.1 |
精度 ±[%] | 0.5 |
VDD min. [V] | 0.60 |
VDD max. [V] | 10.0 |
绝对最大额定电压 [V] | 12 |
延迟时间 | External setting |
消耗电流 typ. [μA] | 0.27 |
工作温度 min. [°C] | -40 |
工作温度 max. [°C] | 85 |
S-1009N14I-I4T1U 型号参数
属性 | 参数值 |
---|---|
Package | SNT-4A |
Undervoltage detection voltage (V) | 1.4 |
Detection voltage accuracy | ±12mV |
Detection voltage hysteresis | 5% typ. |
Current consumption typ. [µA] | 0.27 |
Operating voltage min. [V] | 0.7 |
Operating voltage max. [V] | 10 |
SENSE pin | Unavailable |
MR pin | Unavailable |
Output form | Nch O.D. |
Output logic | active "L" |
Operating temperature min. [℃] | -40 |
Operating temperature max. [℃] | +85 |