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电源管理  > 
OR控制器/理想二极管

LM74704QDDFRQ1 车规级

品牌: TI(德州仪器)
封装: SOT-23-THN-8
系列名: LM74704-Q1
描述:
具有 FET 良好开漏输出的汽车类理想二极管控制器
具有 FET 良好开漏输出的汽车类理想二极管控制器
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数据手册

2.26MB Rev.A 2024-1-10

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生命周期:量产

参考库存: 504 PCS
参考价格: ¥6.64462
概述

LM74703-Q1、LM74704-Q1 是一款符合汽车 AEC Q100 标准的理想二极管控制器,与外部 N 沟道 MOSFET 配合工作,可作为理想二极管整流器利用 20mV 正向压降实现低损耗反极性保护。3.2V 至 65V 的宽电源输入范围可实现对常用直流总线电压(例如 12V、24V 和 48V 汽车电池系统)的控制。3.2V 输入电压支持可满足汽车系统中严苛的冷启动要求。该器件可耐受低至 –65V 的负电源电压,并提供负载保护。

该器件通过控制 MOSFET 的栅极将正向压降调节至 20mV。该调节方案可在反向电流事件中支持 MOSFET 平稳关机,并提供零直流反向电流。该器件能够快速 (< 0.75µs) 响应反向电流阻断,因此适用于在 ISO7637 脉冲测试以及电源故障和输入微短路条件下要求保持输出电压的系统。LM74703-Q1、LM74704-Q1 具有 FETGOOD 输出,用于指示外部 MOSFET 漏源短路或开路情况。该器件具有使能引脚 (EN)。当使能引脚处于低电平时,控制器关闭,消耗大约 1µA 的电流。

特性
Automotive load dump compatibility,Enable,Linear control,Reverse current blocking,Reverse polarity protection
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
    • 器件温度等级 1: -40°C 至 125°C的环境工作温度范围
  • 3.2V 至 65V 输入范围(3.9V 启动)
  • -65V 反向电压额定值
  • 适用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵
  • 20mV ANODE 至 CATHODE 引脚正向压降调节
  • 使能引脚特性
  • 1µA 关断电流(EN = 低电平)
  • 80µA 工作静态电流(EN = 高电平)
  • 2.3A 峰值栅极关断电流
  • 用以指示外部 MOSFET 运行状况的 FETGOOD 输出
  • 快速响应反向电流阻断: 小于 0.75µs
  • 扩展频率范围(150kHz 至 1GHz)内的 EMI 性能
  • 采用外部 TVS 二极管,符合汽车 ISO7637 瞬态要求
  • 2.90mm × 1.60mm 8 引脚 SOT-23 封装
概述

LM74703-Q1、LM74704-Q1 是一款符合汽车 AEC Q100 标准的理想二极管控制器,与外部 N 沟道 MOSFET 配合工作,可作为理想二极管整流器利用 20mV 正向压降实现低损耗反极性保护。3.2V 至 65V 的宽电源输入范围可实现对常用直流总线电压(例如 12V、24V 和 48V 汽车电池系统)的控制。3.2V 输入电压支持可满足汽车系统中严苛的冷启动要求。该器件可耐受低至 –65V 的负电源电压,并提供负载保护。

该器件通过控制 MOSFET 的栅极将正向压降调节至 20mV。该调节方案可在反向电流事件中支持 MOSFET 平稳关机,并提供零直流反向电流。该器件能够快速 (< 0.75µs) 响应反向电流阻断,因此适用于在 ISO7637 脉冲测试以及电源故障和输入微短路条件下要求保持输出电压的系统。LM74703-Q1、LM74704-Q1 具有 FETGOOD 输出,用于指示外部 MOSFET 漏源短路或开路情况。该器件具有使能引脚 (EN)。当使能引脚处于低电平时,控制器关闭,消耗大约 1µA 的电流。

特性
Automotive load dump compatibility,Enable,Linear control,Reverse current blocking,Reverse polarity protection
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
    • 器件温度等级 1: -40°C 至 125°C的环境工作温度范围
  • 3.2V 至 65V 输入范围(3.9V 启动)
  • -65V 反向电压额定值
  • 适用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵
  • 20mV ANODE 至 CATHODE 引脚正向压降调节
  • 使能引脚特性
  • 1µA 关断电流(EN = 低电平)
  • 80µA 工作静态电流(EN = 高电平)
  • 2.3A 峰值栅极关断电流
  • 用以指示外部 MOSFET 运行状况的 FETGOOD 输出
  • 快速响应反向电流阻断: 小于 0.75µs
  • 扩展频率范围(150kHz 至 1GHz)内的 EMI 性能
  • 采用外部 TVS 二极管,符合汽车 ISO7637 瞬态要求
  • 2.90mm × 1.60mm 8 引脚 SOT-23 封装
封装参数
  • 属性
    参数值
  • Package
    封装
    主要参数
    SOT-23-THN-8
    Pin Count
    端子数量
    主要参数
    8
  • Size(mm)
    尺寸
    主要参数
    2.9 x 2.8mm
技术参数
  • 属性
    参数值
  • TOP(°C)
    工作温度
    主要参数
    -40°C~+125°C
    Channels
    通道数量
    主要参数
    1
  • Type
    类型
    主要参数
    Ideal diode controller
    Idd(A)
    供电电流
    主要参数
    0.08mA
  • VDD(V) max
    最大工作电压/供电电压
    主要参数
    65V
    VDD(V) min
    最小工作电压/供电电压
    主要参数
    3.2V
  • IGate pulsed(A)
    栅极驱动器峰值源电流
    主要参数
    2.37A
    ISINK(A)
    栅驱动器峰值吸收电流
    主要参数
    2370mA
合规参数
  • 属性
    参数值
  • AEC-Q
    AEC-Q
    主要参数
    是
    Reach
    Reach状态
    主要参数
    未受影响
  • RoHS状态
    RoHS状态
    主要参数
    合规
    MSL
    湿敏等级/湿度敏感等级/湿气敏感性等级
    主要参数
    Level-1
交易参数
  • 属性
    参数值
  • Lifecycle
    生命周期
    主要参数
    量产
    Lifecycle Risk
    生命周期风险
    主要参数
    低
  • ECCN
    ECCN码
    主要参数
    EAR99
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