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描述：
MOSFET N-CH 40V 200A 5HSOF
MOSFET N-CH 40V 200A 5HSOF
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生命周期：量产
芯查查商城现货
供应商：广东艾矽易信息科技有限公司
库存： 0 PCS
价格： ¥9.49551
特性
- OptiMOSTM 5 - power MOSFET for automotive applications
- N-channel - Enhancement mode - Normal Level
- AEC Q101 qualified
- MSL3 up to 260°C peak reflow
- 175°C operating temperature
- Green Product (RoHS compliant)
- 100% Avalanche tested
特性
- OptiMOSTM 5 - power MOSFET for automotive applications
- N-channel - Enhancement mode - Normal Level
- AEC Q101 qualified
- MSL3 up to 260°C peak reflow
- 175°C operating temperature
- Green Product (RoHS compliant)
- 100% Avalanche tested
封装参数
- 属性参数值
- Package封装主要参数PG-LHDS0-5-1Mounting Type安装类型主要参数表面贴装型
- Pin Count端子数量主要参数5
技术参数
- 属性参数值
- TOP(°C)工作温度主要参数-55℃~+175℃(Tj)TOP min(°C)最低工作温度主要参数-55℃
- TOP max(°C)最高工作温度主要参数+175℃(Tj)PD(mW)耗散功率主要参数167W(Tc)
- Configuration内部结构主要参数SINGLE WITH BUILT-IN DIODEChannels通道数量主要参数1
- FET TypeFET 类型主要参数N沟道Vdss漏极-源极电压主要参数40V
- Vgss栅极-源极电压主要参数±20VId漏极电流主要参数200A
- Idm漏极脉冲电流主要参数800Atd(on)导通时间主要参数11ns
- ESD ProtectionESD 保护主要参数Ntd(off)关断时间主要参数23ns
- V(GS)th栅极-源极阈值电压主要参数3.4V@100uARds(on)@Vgs,Id漏极-源极导通电阻主要参数1mΩ@100A,10V
- Ciss@Vds输入电容主要参数7650pF@25VQg@Vgs栅极电荷主要参数132nC@10V
- Crss@Vds反向传输电容主要参数120pFCoss@Vds输出电容主要参数2130pF
- Tfall(s)下降时间主要参数12nsTrise(s)上升时间主要参数6ns
- Technology技术主要参数MOSFET (Metal Oxide)Operating Mode工作模式主要参数ENHANCEMENT MODE
- VD(V)驱动电压主要参数7V, 10V
合规参数
- 属性参数值
- AEC-QAEC-Q主要参数AEC-Q101ReachReach状态主要参数未受影响
- RoHS状态RoHS状态主要参数合规Pb-free无铅主要参数否
- MSL湿敏等级/湿度敏感等级/湿气敏感性等级主要参数3
交易参数
- 属性参数值
- Lifecycle生命周期主要参数量产Lifecycle Risk生命周期风险主要参数低
- Factory Packing Type工厂包装类型主要参数TAPE & REELFactory Packing Quantity工厂包装数量主要参数2000
- HTSHTS编码主要参数8541.29.0095ECCNECCN码主要参数EAR99
- Weight(g)重量/质量主要参数1.93克(g)
