IAUC120N04S6L005ATMA1_场效应管(MOSFET)_数据手册PDF_datasheet_芯片参数

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场效应管(MOSFET)

IAUC120N04S6L005ATMA1 车规级

品牌： Infineon(英飞凌)

封装： PG-TDSON-8-53

系列名： IAUC120N04S6L005

描述：

40V, N-Ch, 0.55 mΩ max, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS™-6

40V, N-Ch, 0.55 mΩ max, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS™-6

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939.29KB

生命周期：量产

库存： 0 PCS

价格： ¥10.96021

概述

Say goodbye to old technology and unlock new levels of performance with Infineon's latest product, IAUCN04S7L005.

Discover the enhanced efficiency and reliability of our newest technology with IAUCN04S7L005.

概述

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封装参数

属性

参数值
Package

主要参数
PG-TDSON-8-53

Mounting Type

主要参数
表面贴装型

技术参数

属性

参数值
TOP(°C)

主要参数
-55℃~+175℃(Tj)

TOP min(°C)

主要参数
-55℃
TOP max(°C)

主要参数
+175℃(Tj)

PD(mW)

主要参数
187W(Tc)
Configuration

主要参数
Single

FET Type

主要参数
N沟道
Vdss

主要参数
40V

Vgss

主要参数
±16V
Id

主要参数
120A

Idm

主要参数
1550A
td(on)

主要参数
9ns

td(off)

主要参数
57ns
Channels

主要参数
1 Channel

V(GS)th

主要参数
2V@130uA
Rds(on)@Vgs,Id

主要参数
0.55mΩ@60A,10V

Ciss@Vds

主要参数
11203pF@25V
Qg@Vgs

主要参数
177nC@10V

Crss@Vds

主要参数
175pF
Coss@Vds

主要参数
2982pF

ESD Protection

主要参数
N
Technology

主要参数
MOSFET (Metal Oxide)

Tfall(s)

主要参数
28 ns
Trise(s)

主要参数
8 ns

Operating Mode

主要参数
Enhancement
VD(V)

主要参数
4.5V, 10V

合规参数

属性

参数值
AEC-Q

主要参数
AEC-Q101

Reach

主要参数
未受影响
RoHS

主要参数
RoHS2:2011/65/EU,RoHS3:(EU)2015/863

RoHS状态

主要参数
合规
Pb-free

主要参数
是

MSL

主要参数
1(无限)

交易参数

属性

参数值
Lifecycle

主要参数
量产

Factory Packing Type

主要参数
卷带(TR)剪切带(CT)
Factory Packing Quantity

主要参数
5000

HTS

主要参数
8541.29.0095
ECCN

主要参数
EAR99

Lifecycle Risk

主要参数
低
Weight(g)

主要参数
0.61克(g)

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