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对比
型号
品牌
参数
描述
数据手册
替代料
封装： LFPAK88
FET 类型： N
漏极-源极电压： 40V
漏极电流： 190A
N-channel 40 V, 2 mOhm standard level MOSFET in LFPAK88
封装： DFNW-5(4.9x5.9),SO-8FL(WF)
FET 类型： N沟道
漏极-源极电压： 40V
栅极-源极电压： ±20V
MOSFET – Power, Single N-Channel 40 V, 12 m?, 35 A
封装： Dual LFPAK,LFPAK56D
FET 类型： N
漏极-源极电压： 100V
漏极电流： 15A
Dual N-channel 100 V, 37.6 mΩ standard level MOSFET
封装： PowerDI5060-8 (SWP)
FET 类型： N沟道
漏极-源极电压： 40V
漏极-源极导通电阻： 7.5mΩ
40V +175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
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BSO612CVGHUMA1 逐步淘汰
分类： MOSFET
封装： SOIC-8
FET 类型： N沟道,P沟道
漏极-源极电压： 60V
漏极电流： 3A,2A
MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
分类： MOSFET
封装： DFNW-5(4.9x5.9),SO-8FL(WF)
FET 类型： N沟道
漏极-源极电压： 80V
栅极-源极电压： ±20V
单 N 沟道，功率 MOSFET，80V，123A，3.7mΩ
封装： D2PAK
FET 类型： N沟道
漏极-源极电压： 40V
栅极-源极电压： ±20V
OptiMOS Power-Transistor
封装： PG-TSDSON-8-32
FET 类型： N沟道
漏极-源极电压： 40V
栅极-源极电压： ±20V
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
BSS138NE6433 量产
分类： MOSFET
封装： SOT-23
FET 类型： N沟道
漏极-源极电压： 60V
栅极-源极电压： ±20V
SIPMOS Small-Signal-Transistor
NVMFS5833NT3G 逐步淘汰
分类： MOSFET
封装： DFN-5(5x6),SO-8FL
FET 类型： N沟道
漏极-源极电压： 40V
栅极-源极电压： ±20V
MOSFET N-CH 40V SO8FL
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